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GB500343-2004ビル電子情報システム雷保護技術仕様によると、雷保護ゾーン（LPZ）は次のように分割されなければならない：直撃雷非保護ゾーン、直撃雷保護ゾーン、第一保護ゾーン、第二保護ゾーン、および後続の保護ゾーン、以下の規定に準拠する必要があります：
1、直撃雷非防護ゾーン（LPZ0A）：電磁界が減衰されていない、建物のすべてのタイプは、完全に露出した非防護領域に属する、直撃雷にさらされる可能性があります。
2、直接雷保護ゾーン（LPZ0B）：減衰することなく、電磁界、建物のすべての種類はほとんど直接雷を受け、完全に直接雷保護ゾーンを露出している。
3、保護ゾーン（LPZ1）の最初のレベル：建物のシールド対策に起因する、さらに電磁界を低減するために直接雷保護ゾーン（LPZ0B）よりも導体のすべてのタイプを介して雷電流の流れが最初に減衰されている、オブジェクトのすべてのタイプは、直接落雷にさらされる可能性はほとんどありません。
4.第二保護ゾーン（LPZ2）：誘導雷電流または電磁場をさらに低減するために導入される後続の保護ゾーン。
5、後続の雷保護ゾーン（LPZ3）：さらに、より敏感な機器後続の保護ゾーンを保護するために、雷の電磁パルスを低減する必要がある。
LPZAまたはLPZBのための最外層は、主に外部雷保護システムの保護によって、直接落雷エリア、最も高いリスクであり、リスクの内部レベルにもっと低いので、雷保護プロジェクトを行うの時間に雷保護ゾーニングを十分に考慮すべきである。
